hesper to230r 12英寸单片减压原位湿法氧化系统
hesper to230r 12 inch single wafer reduced pressure in situ steam generation system
- 设备特点
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- 16区加热设计, 温场均匀性优
- 单腔/多腔多种设计，可满足不同客户需求
- 低拥有成本、低运营成本
- 友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效
- 产品应用
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- 晶圆尺寸12英寸
- 适用材料二氧化硅
- 适用工艺湿法氧化、减压spike
- 适用领域集成电路、功率半导体、衬底材料、科研领域
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