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半导体装备 semiconductor

nmc 508rie

介质刻蚀机

nmc 508rie 介质刻蚀机

nmc 508rie dielectric etcher

nmc 508rie为电容耦合等离子体干法刻蚀机，适用6/8英寸介质层刻蚀工艺，具有高刻蚀速率和均匀性，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。

设备特点

多频ccp模式，工艺窗口大
高刻蚀速率和高刻蚀均匀性
低拥有成本、低运营成本

产品应用

晶圆尺寸
6/8 英寸兼容
适用材料
氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
适应工艺
钝化层、硬掩膜、接触孔、导线孔、侧衬、自对准、回刻等刻蚀
适用领域
集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研领域

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