epee i200 等离子体增强化学气相沉积系统
epee i200 pecvd system
- 设备特点
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- 先进的单腔双片架构，兼具产能和性能优势
- 高效传输系统，智能软件调度算法
- 高效远程等离子体清洗系统，良好的颗粒控制
- 支持气态硅烷和液态正硅酸乙酯两类沉积工艺
- 产品应用
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- 晶圆尺寸6/8英寸兼容
- 适用材料氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、psg、bpsg
- 适用工艺掩膜层沉积、钝化层沉积、绝缘层沉积
- 适用领域集成电路、化合物半导体、功率半导体、led、硅基微显、科研
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