12英寸立式低压化学气相沉积非掺杂多晶硅炉 -pg电子夺宝试玩

pg电子夺宝试玩-pg电子官方网站试玩网产品&服务半导体装备氧化扩散设备 12英寸立式低压化学气相沉积非掺杂多晶硅炉

半导体装备 semiconductor

theoris py302u

12英寸立式低压化学气相沉积非掺杂多晶硅炉

theoris py302u 12英寸立式低压化学气相沉积非掺杂多晶硅炉

theoris py302u 12 inch vertical lpcvd undoped poly furnace

theoris py302u应用于高性能的半导体多晶硅薄膜制造，通过低压化学气相沉积方式实现晶圆表面多晶硅薄膜的沉积，占地面积小，可大批量处理12英寸晶圆。

设备特点

先进的压力控制系统
高精度温度场控制技术
先进的颗粒控制技术
优良的薄膜均匀性
先进的微环境氧含量控制技术

产品应用

晶圆尺寸
12英寸
适用材料
硅
适用工艺
多晶硅薄膜低压化学气相沉积
适用领域
集成电路、功率半导体、衬底材料

分享我们：

联系pg电子官方网站试玩网