itops a230 氮化铝溅射系统 itops a230 aln sputter system -pg电子夺宝试玩

  pvd aln是led领域中一款创新的、革命性的工艺设备。 aln缓冲层的加入，可以有效提升led器件的光电性能、提高mocvd设备的产能和降低整线生产成本。利用磁控溅射的原理，在衬底材料上制备目标厚度的aln薄膜，通过sem、xrd和afm的测试分析，aln薄膜结构具有高度的c轴取向，结晶品质高，表面光滑平整；在aln表面外延生长gan后，gan fwhm的（002）/（102）可以达到90/140 arcsec，表面非常光洁、平整；根据对led芯片tem的观察和分析，gan与aln界面处的原子结合排布比较规则，gan外延和mqw的生长过程中位错较少，原子排布整齐有序，这些均有利于减少器件的漏电流和提高器件的使用寿命，制备的led器件性能较无aln缓冲层的制程相比，亮度和vf明显改善、vr和esd显著提高。